"Ангстрем-Т" ждет инвестиций Роснано

Развернуть новое производство "Ангстрем-Т" планирует на базе существующего проекта по созданию производства 130-110 нм. "Базовая технология  является уникальной для российских производителей и позволяет осуществить переход к технологии 90 нм без существенных капиталовложений в инфраструктуру", - отмечает пресс-служба компании "Ангстрем-Т".

Производитель планирует приобрести дополнительное оборудование и технологические лицензии. Для этого потребуется около 190 млн евро. В частности средства будут пущены на строительство новых чистых комнат и газораспределительной станции. Эта инфраструктура, по заверению пресс-службы компании, позволит в дальнейшем развить технологии производства до 65 нм без существенных капиталовложений. Согласно представленному проекту, выпуск опытных изделий 90 нм "Ангстрем" может начать в III квартале 2011 г.

Представители "Ангстрема" отмечают, что реализация проекта позволит заменить импортные микросхемы в микропроцессорах и микроконтроллерах всех видов, включая спутниковую навигацию.

Впрочем, представители Роснано отмечают, что проекту еще предстоит получить заключение комитета по инвестиционной политике (КИП) об экономической эффективности. Только после этого наблюдательный совет госкорпорации примет решение о предоставлении финансирования. 
 
"Проект можно признать актуальным в силу его ориентации на импортозамещение – государство должно поддерживать такие проекты, снижая технологическую зависимость России от импорта, - рассуждает аналитик УК "Финам Менеджмент" Анна Зайцева. - Кроме того, в данном случае есть возможность для снижения затрат за счет использования уже имеющейся технологической базы. Более того, создается инфраструктура для относительно недорого перехода к следующему поколению чипов. Развитие производства на "Ангстреме" позволяет решить и целый ряд других вопросов, например, производство чипов для ГЛОНАСС может быть основано на базе технологии 90 нм. Конечно, тот же Intel перешел на 90 нм еще шесть лет назад, что хорошо характеризует уровень технологического отставания России в сегменте полупроводников".